福建金石能源有限公司谢志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种采用激光重叠曝光消融的背接触太阳能电池制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116581167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310164943.7，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种采用激光重叠曝光消融的背接触太阳能电池制造方法是由谢志刚;谢艺峰;黄巍辉;林朝晖设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用激光重叠曝光消融的背接触太阳能电池制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种背接触太阳能电池制造方法，对半导体基板第二主面进行划分，一部分为第一半导体区，另一部分为第二半导体区；在半导体基板第二主面依次形成第一导电型膜层、第一绝缘膜层、激光吸收牺牲叠层；所述激光吸收牺牲叠层包括在第一绝缘膜层上依次形成的硅基激光吸收膜层、第二绝缘膜层以及保护膜层；采用激光曝光消融工艺以第一激光去除第二半导体区上的激光吸收牺牲叠层的部分膜层，采用化学腐蚀工艺依次去除第一激光曝光区域剩余的激光吸收牺牲叠层、第一绝缘膜层和第一导电型膜层以形成第二半导体区的开口，之后进行化学清洁以露出第一半导体区的硅基激光吸收膜层。本发明的目的在于保证生产效率，又防止异质结膜层热衰减的问题。
本发明授权一种采用激光重叠曝光消融的背接触太阳能电池制造方法在权利要求书中公布了：1.一种采用激光曝光消融的背接触太阳能电池制造方法，其特征在于：对半导体基板第二主面进行划分，一部分为第一半导体区，另一部分为第二半导体区；在半导体基板第二主面依次形成第一导电型膜层、第一绝缘膜层、激光吸收牺牲叠层；第一导电型膜层包括本征非晶硅和掺杂半导体层，所述激光吸收牺牲叠层包括在第一绝缘膜层上依次形成的硅基激光吸收膜层、第二绝缘膜层以及保护膜层；采用激光曝光消融工艺以第一激光去除第二半导体区上的激光吸收牺牲叠层的部分膜层，采用化学腐蚀工艺依次去除第一激光曝光区域剩余的激光吸收牺牲叠层、第一绝缘膜层和第一导电型膜层以形成第二半导体区的开口，之后进行化学清洁以露出第一半导体区的硅基激光吸收膜层；所述激光曝光消融工艺包括一次曝光区域和两次曝光区域，一次曝光区域曝光仅去除保护膜层，两次曝光区域去除第一绝缘膜层上方的全部层从而露出第一绝缘膜层。
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