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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利掩膜版图的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116413995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111679044.8，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权掩膜版图的形成方法是由游林;张婉娟设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜版图的形成方法在说明书摘要公布了：一种掩膜版图的形成方法，包括：提供初始版图，初始版图中包括沿第一方向排布且平行于第二方向的第一图形和第二图形，所述第一图形长于所述第二图形；将第一图形分割为若干子图形；将第二图形和若干子图形进行拆分组合，以形成在不同的掩膜版图上。在不改变现有的刻蚀偏差表的情况下，通过将第一图形分割为若干子图形；将第二图形和若干子图形进行拆分组合，以形成在不同的掩膜版图上。使得刻蚀偏差表中已收集的图形环境能够覆盖实际设计中的图形环境，进而对光学邻近修正提供正确修正数据，以减少第一图形的刻蚀后检测尺寸偏大，第二图形的刻蚀后检测尺寸偏小的问题。另外，也不需要收集大量详细数据重新建立刻蚀模型，能够有效提升修正效率。

本发明授权掩膜版图的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版图的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始版图，所述初始版图中包括沿第一方向排布且平行于第二方向的第一图形和第二图形，所述第一方向与所述第二方向垂直，在所述第二方向上，所述第一图形具有第一长度尺寸，所述第二图形具有第二长度尺寸，所述第一长度尺寸大于所述第二长度尺寸； 将所述第一图形沿所述第二方向分割为若干子图形； 将所述第二图形和若干子图形进行拆分组合，以形成在不同的掩膜版图上，使得刻蚀偏差表中已收集的图形环境能够覆盖实际设计中的图形环境；其中， 所述第一图形的若干子图形包括：沿所述第二方向排布的第一子图形、第二子图形和第三子图形，所述第二子图形位于所述第一子图形和所述第三子图形之间，在所述第二方向上，所述第一子图形具有第三长度尺寸，所述第三子图形具有第四长度尺寸； 将所述第二图形和若干子图形进行拆分组合，以形成在不同的掩膜版图上的方法包括：提供最小设计规则长度尺寸；当所述第三长度尺寸和所述第四长度尺寸均大于所述最小设计规则长度尺寸时，将所述第二子图形和所述第一子图形形成在不同的掩膜版图上，并且将所述第二子图形和所述第三子图形形成在不同的掩膜版图上。

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