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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种LED芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211468152.5，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种LED芯片结构及其制备方法是由马昆旺;吴永胜;刘恒山设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种LED芯片结构制备方法，在蓝宝石衬底上依次形成N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层，形成外延片；对所述外延片进行切割，得到切割后的外延片；在所述切割后的外延片上的所述N‑GaN层的侧壁制备N电极，并在所述P‑GaN层的侧壁制备P电极，得到制备完成的LED芯片；LED芯片结构，包括外延片；所述外延片包括N‑GaN层和设于所述N‑GaN层一侧的P‑GaN层；所述N‑GaN层的一侧壁设有N电极，所述P‑GaN层的一侧壁设有P电极，且所述N‑GaN层的一侧壁和所述P‑GaN层的一侧壁不处于同一平面；使得电极不再占用发光区面积，以此避免了发光区面积的损失，最大程度地利用发光面积，从而有效提高了出光效率，进而提高了LED芯片的亮度。

本发明授权一种LED芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片结构制备方法，其特征在于，包括步骤： 在蓝宝石衬底上依次形成N-GaN层、量子阱层和P-GaN层，形成外延片； 对所述外延片进行切割，得到切割后的外延片； 在所述切割后的外延片上的所述N-GaN层的侧壁制备N电极，并在所述P-GaN层的侧壁制备P电极，得到制备完成的LED芯片； 所述在所述切割后的外延片上的所述N-GaN层的侧壁制备N电极，并在所述P-GaN层的侧壁制备P电极，得到制备完成的LED芯片包括： 使用光刻胶掩膜在所述切割后的外延片上的所述N-GaN层的侧壁制备N电极图形，并在所述P-GaN层的侧壁制备P电极图形，得到电极图形制备后的外延片； 使用光刻胶掩膜和粗化液对所述电极图形制备后的外延片上的所述N-GaN层的侧壁和所述P-GaN层的侧壁进行粗化，得到粗化后的外延片； 使用湿法腐蚀方法去除所述粗化后的外延片上的所述光刻胶掩膜，得到去除后的外延片，并基于所述去除后的外延片制备N电极和P电极，得到制备完成的LED芯片。

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