株式会社国际电气北村匡史获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910761B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310105648.4，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质是由北村匡史;平松宏朗;高桥哲也设计研发完成，并于2018-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题为，对在衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。本发明的半导体器件的制造方法具有下述工序：准备衬底的工序；和对衬底从第1供给部供给非活性气体，对衬底从第2供给部供给非活性气体，对衬底从第3供给部供给处理气体，从而在衬底上形成膜的工序，其中，第3供给部设置在隔着穿过第2供给部和衬底的中心的直线而与第1供给部相反的一侧，在形成膜的工序中，通过对从第1供给部供给的非活性气体的流量、与从第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行调节。
本发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.衬底处理方法，其具有下述工序： 准备衬底的工序；和 对所述衬底从第1供给部及第2供给部供给非活性气体，对所述衬底从第3供给部供给处理气体，从而在所述衬底上形成包含所述处理气体所含的元素的膜的工序，其中，所述第3供给部设置在隔着穿过所述第2供给部和所述衬底的中心的直线而与所述第1供给部相反的一侧， 形成所述膜的工序在不对所述处理气体所含的所述元素向所述衬底的表面的吸附施加自限制的条件下进行， 在形成所述膜的工序中，通过对从所述第1供给部供给的非活性气体的流量、与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在所述衬底上形成的所述膜的衬底面内膜厚分布进行调节。
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