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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于VO2的频率可调MEMS平板谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115765677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211417200.8，技术领域涉及：H03H9/24；该发明授权基于VO2的频率可调MEMS平板谐振器是由陈志强;田文超;辛菲;徐瀚洋设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于VO2的频率可调MEMS平板谐振器在说明书摘要公布了：本发明公开的基于VO22的频率可调MEMS平板谐振器，其包括：SiO22基板；SiO22基板位于谐振器的最下方；底部电极位于SiO22基板上方；Si33N44双端固支平板位于SiO22基板与底部电极上方；顶部电极位于Si33N44双端固支平板上方且位置与底部电极相对应；Si33N44绝缘层位于Si33N44双端固支平板与顶部电极上方；加热电阻位于Si33N44绝缘层上方且其电阻最大区域位于Si33N44双端固支平板的梁中间区域；VO22层位于Si33N44双端固支平板与加热电阻上方；加热电阻采用Pt制作以增加其承受高温的能力，同时加热电阻由不同宽度的Pt金属带构成以保证Si33N44双端固支平板的中间平板区域电阻值最大。

本发明授权基于VO2的频率可调MEMS平板谐振器在权利要求书中公布了：1.基于VO2的频率可调MEMS平板谐振器，其特征在于，包括依次由下而上排布的SiO2基板1、Si3N4双端固支平板3、Si3N4绝缘层5、加热电阻6和VO2层7；所述SiO2基板1上设置有底部电极2，所述Si3N4双端固支平板3上设置有顶部电极4；所述Si3N4双端固支平板3通过刻蚀法使Si3N4双端固支平板3与SiO2基板1以及底部电极2之间有微米级的间隙；所述顶部电极4与底部电极2相对应；所述加热电阻6位于Si3N4绝缘层5上方且其电阻最大区域位于Si3N4双端固支平板3的中间平板区域； 所述加热电阻6沉积在Si3N4绝缘层5上，所述加热电阻6由一对各段宽度不同的Pt金属微带19构成，每个Pt金属微带19的中间部分凸起，其中凸起部分的Pt金属微带最窄以保证此处电阻最大； 所述VO2层7通过脉冲激光沉积法沉积在加热电阻6上方，所述VO2层7是由VO2短平板21与VO2长平板20构成的十字结构，所述VO2短平板21位于加热电阻6的Pt金属微带最窄处正上方； 所述Si3N4绝缘层5尺寸与形状与Si3N4双端固支平板3一致，实现顶部电极4与加热电阻6之间的完全电气绝缘。

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