化学与精细化工广东省实验室潮州分中心吉祥获国家专利权
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龙图腾网获悉化学与精细化工广东省实验室潮州分中心申请的专利一种利用等离子场活化辅助制备铁酸钴外延薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115652416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211273241.4，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种利用等离子场活化辅助制备铁酸钴外延薄膜的方法是由吉祥;石大林;罗国强;涂溶设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用等离子场活化辅助制备铁酸钴外延薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种利用等离子场活化辅助制备铁酸钴外延薄膜的方法，包括如下步骤：首先，通过磁控溅射技术沉积CFO前躯膜；其次，将CFO前躯膜放入PECVD真空退火炉中，进行真空等离子场活化；最后，分别在Ar气氛以及O22气氛下进行高温退火处理；退火完毕后，取出炉中的产物，得到CFO外延薄膜。本发明克服了现有CFO外延薄膜制备方法存在的制备周期长、薄膜尺寸受限、退火时间长、结晶程度不高、残留氧空位等问题，具有缩短制备周期、提高薄膜表面活性的优势，且产品具有尺寸大、外延择优取向、结晶程度高、消除氧空位等优点，可进一步提升CFO外延薄膜的性能。
本发明授权一种利用等离子场活化辅助制备铁酸钴外延薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用等离子场活化辅助制备铁酸钴外延薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1以铁酸钴陶瓷为沉积靶材，以钛酸锶单晶基板为沉积衬底，通过磁控溅射技术于室温下沉积CFO前驱膜； 2将CFO前驱膜置于Ar气氛下，进行等离子场活化处理； 3等离子场活化完毕后，保持Ar气氛，进行真空退火处理，退火温度400～500℃； 4真空退火处理完毕后，关闭Ar气氛，在O2气氛下，进行退火处理；退火温度650～700℃； 5退火完毕后，取出产物，得到CFO外延薄膜，制备得到的CFO外延薄膜的化学组成为：CoFe2O4。
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