电子科技大学刘雨辰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115633540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211299779.2，技术领域涉及：H10N60/82；该发明授权基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法是由刘雨辰;陶伯万;赵睿鹏设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法在说明书摘要公布了：基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域。包括与高阻区一端连接的第一电极区以及与高阻区另一端连接的第二电极区；第一电极区和第二电极区中，至少有一个电极区通过低阻区连接到高阻区；所述低阻区、高阻区、第一电极区和第二电极区皆由晶粒倾斜取向的YBCO薄膜构成；高阻区中的YBCO薄膜的晶界线和低阻区中的YBCO薄膜的晶界线方向相同；高阻区的轴线垂直于YBCO薄膜的晶界线，低阻区的轴线平行于YBCO薄膜的晶界线；第一电极区和第二电极区皆设置有电极。本发明从薄膜生长控制出发，通过纤维状晶粒倾斜取向薄膜的生长，实现了对多晶薄膜晶界特性的有效控制。
本发明授权基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于晶界弱连接特性的电子器件结构，其特征在于，包括与高阻区一端连接的第一电极区以及与高阻区另一端连接的第二电极区； 第一电极区和第二电极区中，至少有一个电极区通过低阻区连接到高阻区；所述低阻区、高阻区、第一电极区和第二电极区皆由晶粒倾斜取向的YBCO薄膜构成； 高阻区中的YBCO薄膜的晶界线和低阻区中的YBCO薄膜的晶界线方向相同； 高阻区的轴线垂直于YBCO薄膜的晶界线，低阻区的轴线平行于YBCO薄膜的晶界线； 第一电极区和第二电极区皆设置有电极； 第一电极区和第二电极区各自通过一个低阻区连接到高阻区； 所述第一电极区的电极与第一电极区内的所有晶粒条形成电路连接，第二电极区的电极与第二电极区内的所有晶粒条形成电路连接； 所述第一电极区、第二电极区和高阻区的YBCO薄膜的晶界线同向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励