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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利用于封装的转接板及其制备方法、半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110721421.3，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权用于封装的转接板及其制备方法、半导体封装结构是由杨玉杰;潘远杰;周祖源;林正忠设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于封装的转接板及其制备方法、半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于封装的转接板及其制备方法、半导体封装结构，该制备方法包括：提供包括支撑基底、分离层及硅衬底的叠层结构，硅衬底中形成有TSV孔，TSV孔中有铜导电柱，铜导电柱与TSV孔侧壁之间有扩散阻挡层；研磨硅衬底的上表面至TSV孔完全露出；采用化学机械抛光工艺抛光叠层结构的上表面；采用湿法刻蚀工艺刻蚀铜导电柱预设深度，形成刻蚀凹槽；于刻蚀凹槽中填充满保护层；刻蚀硅衬底的上表面至裸露出铜导电柱；采用化学气相沉积工艺于硅衬底的上表面形成绝缘层。通过湿法刻蚀形成刻蚀凹槽并结合填充于其中的保护层，可有效避免整个转接板制备过程中所有铜导电柱的铜粒子扩散至硅衬底的可能性，有效提高了封装结构的性能。

本发明授权用于封装的转接板及其制备方法、半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种用于封装的转接板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供叠层结构，所述叠层结构由下向上依次包括支撑基底、分离层及硅衬底，所述硅衬底中形成有自下向上延伸的TSV孔，所述TSV孔中填充满有铜导电柱，所述铜导电柱与所述TSV孔侧壁之间形成有扩散阻挡层； 研磨所述硅衬底的上表面至所述TSV孔完全露出； 采用化学机械抛光工艺抛光所述叠层结构的上表面； 采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述铜导电柱预设深度，形成刻蚀凹槽，同时湿法刻蚀溶液将研磨至所述硅衬底表面中的铜去除； 于所述刻蚀凹槽中填充满保护层； 刻蚀所述硅衬底的上表面至裸露出所述铜导电柱； 采用化学气相沉积工艺于所述硅衬底的上表面形成绝缘层；其中， 形成所述叠层结构的步骤包括： 提供所述硅衬底，并于所述硅衬底中形成所述TSV孔，所述TSV孔为未穿透所述硅衬底的盲孔； 于所述TSV孔的侧壁形成所述扩散阻挡层； 于所述TSV孔中填充满铜材料，形成所述铜导电柱； 提供所述支撑基底及所述分离层，并基于所述分离层将所述支撑基底与所述硅衬底具有所述TSV孔的一面粘合，以形成所述叠层结构。

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