福建兆元光电有限公司洪加添获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种LED芯片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211242147.2，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种LED芯片制作方法是由洪加添;翁晓佩;何勇;黄家柳设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种LED芯片制作方法，包括步骤：在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层，所述预设直流功率小于或等于90W，所述预设射频功率小于或等于300W；在所述初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品，即在底层溅射时，使用无氧溅射，减少氧负离子对基片P型氮化镓的轰击效应，同时使用低功率溅射，以此匹配低溅射速率，改变铟锡氧化物结晶性，提高所沉积薄膜与基片界面处形成化合物中间层效果，增加与基片P型氮化镓的致密接触，减少接触电阻，从而有效避免溅射刻蚀所造成的波动性电压升高。
本发明授权一种LED芯片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括步骤： 在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层，所述预设直流功率小于或等于90W，所述预设射频功率小于或等于300W； 在所述初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品； 所述预设直流功率包括第三预设直流功率； 所述预设射频功率包括第三预设射频功率； 所述在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层包括： 在ITO机台的腔体通入60~80sccm的氩气并按照第三预设直流功率、第三预设射频功率以及第三预设转盘转速对LED芯片半成品进行底层溅射400~600s，形成初始透明导电层。
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