华为技术有限公司杨玉怀获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115428152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080099985.1，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统是由杨玉怀;高桥秀和;何志宏;谢承志设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统，第一掺杂结构形成于第二掺杂结构的一侧水平表面以及侧壁，第一掺杂结构与第二掺杂结构相邻近的区域用于形成雪崩区，而第二掺杂结构和第一掺杂结构相邻近的拐角区域的高场区更容易形成雪崩区，即雪崩效应发生在第二掺杂结构和第一掺杂结构的边缘区，因此产生雪崩效应的概率较大，而覆盖材料能够提供使第一掺杂材料层中的多子从边缘向中心运动的电场，利于第一掺杂材料层中的光生载流子向雪崩区移动，因此在一定程度上提高电荷收集效率，因此该器件具有较高的量子效率，从而可以具有较高的光探测效率。
本发明授权一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括第一掺杂材料层、第二掺杂结构、第一掺杂结构和覆盖材料； 所述第一掺杂材料层和所述第二掺杂结构在纵向上堆叠，且所述第二掺杂结构的横截面小于所述第一掺杂材料层；所述第一掺杂材料层和所述第二掺杂结构的掺杂类型一致，且所述第二掺杂结构的掺杂浓度高于所述第一掺杂材料层； 所述第一掺杂结构覆盖所述第二掺杂结构朝向所述第一掺杂材料层的表面，且覆盖所述第二掺杂结构的侧壁；所述第一掺杂结构的掺杂类型与所述第二掺杂结构相反，所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构相邻近的区域用于形成雪崩区； 所述覆盖材料覆盖所述第一掺杂材料层表面，用于提供使所述第一掺杂材料层中的多子从边缘向中心运动的电场。
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