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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利用于呼吸监测的HEMT湿敏元件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210600343.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权用于呼吸监测的HEMT湿敏元件及其制备方法和应用是由代建勋;黄火林设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于呼吸监测的HEMT湿敏元件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于呼吸监测的HEMT湿敏元件及其制备方法和应用，属于半导体湿度传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤1.采用阶段功率刻蚀法进行GaN基异质结材料外延片台面刻蚀；步骤2.采用先等离子处理，后湿法腐蚀的方案进行源漏电极掩埋区域刻蚀；步骤3.采用无金欧姆接触制作方案；步骤4.将含有巯基的笼状单体，含有烯键的单体作为骨架材料和光催化剂溶于四氢呋喃和甲醇的混合溶剂中；步骤5.将少量前驱液滴涂于HEMT器件敏感栅区表面，置于紫外光下照射15～30分钟；步骤6.用相同的溶剂体系进行润洗。以该材料作为敏感材料制成的HEMT湿敏元件，该元件在全湿度范围灵敏度达是个数量级，并且该元件可以很好地进行呼吸的检测和呼吸频率的分辨。

本发明授权用于呼吸监测的HEMT湿敏元件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种用于呼吸监测的HEMT湿敏元件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1.采用阶段功率刻蚀法进行GaN基异质结材料外延片台面刻蚀；GaN基异质结外延片台面刻蚀：清洗干净的GaN基异质结外延片经光刻显影后，使用前期优化的电感耦合等离子体设备工艺参数，采用Cl基气体对样品进行台面隔离刻蚀，在最后改用较小功率进行刻蚀，从而减小表面损伤和粗糙度，最后进行化学溶液清洗处理； 步骤2.采用先等离子处理，后湿法腐蚀的方法进行源漏电极掩埋区域刻蚀；源漏电极掩埋区域刻蚀：外延片经光刻显影后，采用电感耦合等离子体法对外延层源漏掩埋区域进行刻蚀；在干法刻蚀后，后期将采用先等离子处理GaN刻蚀表面，再用湿法腐蚀的方案进一步减小样品刻蚀损伤，从而保持刻蚀表面平整光滑； 步骤3.采用无金欧姆接触方法制作电极；漏极欧姆接触电极制作：采用电子束蒸发方法在光刻形成的电极窗口沉积金属，用丙酮浸泡超声剥离多余的金属；利用快速热退火工艺形成良好的欧姆接触； 步骤4.将含有巯基的笼状单体，含有烯键的单体作为骨架材料和光催化剂溶于四氢呋喃和甲醇的混合溶剂中；将含有巯基的和含有烯键预聚体以及少量光催化剂溶于四氢呋喃和甲醇的混合溶剂中；将少量前驱液滴涂于HEMT器件敏感栅区表面，置于紫外光下进行原位交联反应；最后，用相同的溶剂体系进行润洗，除去催化剂和未反应原料； 步骤5.将前驱液滴涂于HEMT器件敏感栅区表面，置于紫外光下照射15-30分钟； 步骤6.用步骤4中的所述混合溶剂进行润洗； 离子凝胶材料的制备：将50.0mg巯丙基多面体低聚倍半硅氧烷，255.0mg乙烯基己基咪唑溴盐和4.0mg安息香二甲醚溶于2mL四氢呋喃和6mL甲醇的混合溶剂中；将2.5ul的前驱液滴涂于HEMT器件敏感栅区表面，置于紫外光下照射20-30分钟，进行原位交联反应；最后，用相同的溶剂体系进行润洗，除去催化剂和未反应原料； 湿敏材料巯丙基多面体低聚倍半硅氧烷与乙烯基己基咪唑溴盐以1：12配比进行反应； 步骤4中反应的溶剂为甲醇和四氢呋喃，且配比为3:1； 步骤5中在HEMT器件栅区原位进行点击化学反应； 步骤5中点击化学反应的时间为15-30分钟。

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