成都信息工程大学孙辉获国家专利权
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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利非晶态PbO/Ga2O3复合材料及其制备方法和X射线探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211081112.5，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权非晶态PbO/Ga2O3复合材料及其制备方法和X射线探测器是由孙辉;张闻;唐政;祝怀浦;朱兴华;曾体贤;杨定宇设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本非晶态PbO/Ga2O3复合材料及其制备方法和X射线探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及非晶态PbOGa22O33复合材料及其制备方法和X射线探测器，属于金属氧化物光电功能块状材料领域。非晶态PbOGa22O33复合材料，其分子式为PbOxxGa22O331‑x1‑x，0.6≤x＜0.8。本发明制得的PbOGa22O33复合材料，其为非晶态，性质稳定，拥有较强的X射线吸收能力，暗电流密度低，光电响应高。
本发明授权非晶态PbO/Ga2O3复合材料及其制备方法和X射线探测器在权利要求书中公布了：1.X射线探测器，其特征在于，包括自下而上依次设置的基板、底电极、非晶态PbOxGa2O31-x块体和顶电极； 其中，所述底电极沉积在非晶态PbOxGa2O31-x块体的底面；顶电极沉积在非晶态PbOxGa2O31-x块体的上表面；所述非晶态PbOxGa2O31-x块体为由非晶态PbOGa2O3复合材料经切割、抛光后得到，0.6≤x＜0.8； 所述非晶态PbOxGa2O31-x块体的厚度为600~1700μm，底电极和顶电极的厚度均为20~50nm。
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