中国科学院宁波材料技术与工程研究所叶继春获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210773208.1，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法是由叶继春;曾俞衡;廖明墩;刘伟;刘尊珂设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法，钝化接触结构包括硅衬底和硅衬底一面上依次叠设的界面氧化层、载流子收集层、介质层和重掺杂多晶硅层，所述载流子收集层由至少一层硅纳米晶薄膜构成。本发明的钝化接触结构具有载流子收集层，载流子收集层由具有宽带隙的硅纳米晶薄膜构成，通过采用具有更高带隙的硅纳米晶，可以拉开硅纳米晶层与硅衬底间的准费米能级差，从而提升载流子收集层与硅衬底之间的qVDD，有利于增加开路电压的上限。
本发明授权一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构，其特征在于，包括硅衬底和硅衬底一面上依次叠设的界面氧化层、载流子收集层、介质层和重掺杂多晶硅层，所述载流子收集层由至少一层硅纳米晶薄膜构成，所述硅纳米晶薄膜的厚度为1-6nm，所述钝化接触结构由以下方法制得： S1、准备硅片衬底； S2、在硅片衬底的表面制备一层界面氧化层； S3、在界面氧化层的表面制备一层或多层重掺杂非晶硅薄膜，重掺杂非晶硅薄膜的厚度为1-6nm； S4、在重掺杂非晶硅薄膜表面制备介质层； S5、在介质层表面制备一层重掺杂非晶硅层； S6、进行高温退火，温度为800-1100℃，使得步骤S3制备的重掺杂非晶硅薄膜和步骤S5制备的重掺杂非晶硅层发生晶化，得到由硅纳米晶薄膜构成的载流子收集层和重掺杂多晶硅层。
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