中国电子科技集团公司第十三研究所杨大宝获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210640920.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法是由杨大宝;刘波;邢东;赵向阳;冯志红设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶薄膜层，在此基础上制备肖特基二极管，金刚石基片代替砷化镓衬底作为肖特基二极管的结构支撑，工艺流程简单，生产周期短，可靠性高，提升了砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的散热性能。
本发明授权一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括： 在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层；其中，所述砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓； 在所述砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层； 在所述砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层，包括：通过化学气相外延工艺，在所述砷化镓多晶薄膜层上生长单晶态的重掺杂砷化镓层；在所述重掺杂砷化镓层上生长单晶态的低掺杂砷化镓层；在所述低掺杂砷化镓层上制备肖特基二极管的器件层。
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