应用材料公司罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利蚀刻改良获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115152001B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180016019.3，技术领域涉及：H01J37/305；该发明授权蚀刻改良是由罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;摩根·埃文斯;莫里斯·爱默生·佩普洛斯基;约瑟夫·C·奥尔森;托马斯·詹姆斯·索尔迪设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻改良在说明书摘要公布了：提供了一种方法。该方法包含：将设置在第一基板上的第一平面上的第一材料暴露至离子束，以在第一材料中形成第一多个结构，离子束以相对于第一基板的表面法线的离子束角θ引导至第一材料。第一基板被定位于离子束与第一多个结构的第一向量之间的第一旋转角φ1处，第一材料沿着第一方向递增地暴露至离子束，且第一材料对离子束的暴露沿着第一方向变化，以在第一方向中在第一多个结构之间产生深度变化。
本发明授权蚀刻改良在权利要求书中公布了：1.一种形成光学器件的结构的方法，包含以下步骤： 在第一时间周期期间将跨越第一平面设置在第一基板上的第一材料暴露至离子束，以在所述第一材料中形成第一多个结构，所述离子束以相对于所述第一基板的表面法线的离子束角θ引导至所述第一材料，其中 在所述第一时间周期期间，所述第一基板被定位于所述离子束与所述第一多个结构的第一向量之间的第一旋转角φ1处， 所述第一向量正交于所述第一多个结构延伸跨越所述第一平面的方向， 在所述第一时间周期期间，所述第一材料沿着第一方向递增地暴露至所述离子束，及 所述第一材料对所述离子束的暴露沿着所述第一方向变化，以在所述第一方向中在所述第一多个结构之间产生深度变化，以及 在第二时间周期期间将所设置的所述第一材料暴露至所述离子束，以修改所述第一多个结构的至少一些的所述深度，其中 在所述第二时间周期期间，所述第一基板被定位于所述离子束与所述第一多个结构的所述第一向量之间的第二旋转角φ2处， 所述第二旋转角φ2是所述第一旋转角φ1的负角。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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