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龙图腾网获悉南京元络芯科技有限公司申请的专利一种电平移位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115118270B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210830951.6，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种电平移位电路是由张聪;潘俊;王静波;李海涛;徐健;桂超设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电平移位电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电平移位电路，本发明通过在PMOS管Mp1的D极和节点n1之间、PMOS管Mp2的D极和节点n2之间增设电阻，消除了电平转换过程中所有的竞争风险；在增设电阻的基础上增设增速辅助电路，通过辅助电路提升整体电路的切换速度，实现了稳态高速的电平移位电路。

本发明授权一种电平移位电路在权利要求书中公布了：1.一种电平移位电路，包括反相器inv1、反相器inv2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1和PMOS管Mp2，反相器inv1的输出端连接NMOS管Mn1的G极和反相器inv1的输入端，反相器inv2的输出端连接NMOS管Mn2的G极，NMOS管Mn1的D极连接PMOS管Mp1的D极和PMOS管Mp2的G极，NMOS管Mn2的D极连接PMOS管Mp1的G极和PMOS管Mp2的D极，NMOS管Mn1的D极、PMOS管Mp1的D极和PMOS管Mp2的G极共同连接处为节点n1，NMOS管Mn2的D极、PMOS管Mp1的G极和PMOS管Mp2的D极共同连接处为节点n2，其特征在于，还包括电阻R1和R2，电阻R1串接在PMOS管Mp1的D极和节点n1之间，电阻R2串接在PMOS管Mp2的D极和节点n2之间； 还包括第一增速电路和第二增速电路，第一增速电路和第二增速电路均设置在节点n1和节点n2之间，第一增速电路和第二增速电路用以提升节点n1和节点n2电压上升的切换速度； 第一增速电路包括PMOS管Mp3、电阻R3和电容C1，PMOS管Mp3的S极连接高压电源电压信号VDD，PMOS管Mp3的D极连接节点n1，电阻R3的一端连接高压电源电压信号VDD，电阻R3的另一端分别连接PMOS管Mp3的G极和电容C1的一端，电容C1的另一端连接节点n2； 电阻R3两端还并接有第一电压保护器件，第一电压保护器件用以保护节点n3处的电压；其中，节点n3为PMOS管Mp3、电阻R3和电容C1共同连接处。

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