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龙图腾网获悉深圳市纳晶云实业有限公司申请的专利一种穿戴方屏上下R角的差异结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115097713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210824816.0，技术领域涉及：G04G9/12；该发明授权一种穿戴方屏上下R角的差异结构是由刘元想;韦泽权;韦树权;韦植桐;陈梓明;韦锡宏;范进杰;韦楚熊;韦廷丰设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种穿戴方屏上下R角的差异结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种穿戴方屏上下R角的差异结构，涉及手表液晶显示屏技术领域，包括方屏本体、IC和手表表盘，所述方屏本体还包括位于底端的TFT基板一和设置于所述TFT基板一上方的CF基板，所述TFT基板一上呈阵列状布置有薄膜晶体管一，所述薄膜晶体管一覆盖区域内的方屏本体上设有成像部，且方屏本体的一端连接有FPC排线，所述方屏本体的四个角位置处皆呈圆弧状布置。本发明由于其底端的两侧R角设计大于其顶端的两侧R角，在底端由小增大的过程中产生了一定范围的缩小空间，而增大R角缩小空间则为智能手表表盘封装部位提供了扩大空间，形成加厚密封部，从而在方屏本体与手表装配时能够增加密封处的接触面积，提升密封性。

本发明授权一种穿戴方屏上下R角的差异结构在权利要求书中公布了：1.一种穿戴方屏上下R角的差异结构，包括方屏本体1、IC和手表表盘7，所述方屏本体1还包括位于底端的TFT基板一11和设置于所述TFT基板一11上方的CF基板10，所述TFT基板一11上呈阵列状布置有薄膜晶体管一16，所述薄膜晶体管一16覆盖区域内的方屏本体1上设有成像部6，且方屏本体1的一端连接有FPC排线4，其特征在于：所述方屏本体1的四个角位置处皆呈圆弧状布置，所述方屏本体1靠近FPC排线4一端的两个拐角位置处皆设有下曲面3，所述方屏本体1远离FPC排线4一端的两个拐角位置处皆设有上曲面2，所述上曲面2部位的R角小于下曲面3部位的R角，所述手表表盘7顶端的内侧设有用于方屏本体1封装使用的阶梯槽8，当方屏本体1封装于阶梯槽8内侧后，阶梯槽8靠近下曲面3一端的两个拐角位置处随下曲面3R角增大形成加厚密封部9，所述FPC排线4连接部位的方屏本体1上设有用于连接IC使用的驱动部5，所述驱动部5位于成像部6的一侧，所述驱动部5区间内的方屏本体1背面设有散热层一19，且用于连接FPC排线4使用的金属触点位于IC和成像部6夹角范围内； 所述方屏本体1还包括依次设置于TFT基板一11下方的TFT基板二12和TFT基板三13，所述TFT基板二12上呈阵列状布置有薄膜晶体管二17，所述TFT基板一11和TFT基板二12部位的薄膜晶体管一16和薄膜晶体管二17相互沿对角线方向均匀交错布置，所述薄膜晶体管二17的设置范围小于成像部6区域面积，且成像部6的边缘轮廓不对薄膜晶体管二17产生遮挡，所述成像部6边缘位置处的TFT基板三13沿其轮廓方向设有R角消除带15，所述R角消除带15覆盖成像部6的边缘布置，R角消除带15部位的TFT基板三13上等间距布置有薄膜晶体管三18，所述薄膜晶体管三18的大小规格小于薄膜晶体管一16和薄膜晶体管二17，薄膜晶体管三18以不超过R角的范围均匀分布填充R角内侧边缘间隙，且靠近成像部6边缘一侧的薄膜晶体管三18皆完整布置。

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