台湾积体电路制造股份有限公司陈又豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构和制造半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210059504.5，技术领域涉及：H10N10/10；该发明授权半导体结构和制造半导体结构的方法是由陈又豪;李惠宇;管瑞丰设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和制造半导体结构的方法在说明书摘要公布了：半导体结构包括光学组件和与光学组件相邻并且配置为控制光学组件的温度的热控制机构。热控制机构包括导电结构、第一热电构件以及与第一热电构件相对的第二热电构件。第一热电构件与第二热电构件电连接至导电结构。第一热电构件和第二热电构件具有相反的导电类型。半导体结构还包括围绕光学组件与部分热控制机构的第一介电层，其中导电结构位于第一介电层上方，并且第一热电构件与第二热电构件由第一介电层围绕。半导体结构还包括延伸穿过第一介电层并且电连接至导电结构的第一通孔。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
本发明授权半导体结构和制造半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 光学组件； 热控制机构，与所述光学组件相邻并且配置为控制所述光学组件的温度，其中， 所述热控制机构包括导电结构、第一热电构件以及与所述第一热电构件相对的第二热电构件， 所述第一热电构件与所述第二热电构件电连接至所述导电结构， 所述第一热电构件和所述第二热电构件具有相反的导电类型； 第一介电层，围绕所述光学组件与部分所述热控制机构，其中，所述导电结构位于所述第一介电层上方，并且所述第一热电构件与所述第二热电构件由所述第一介电层围绕；以及 第一通孔，延伸穿过所述第一介电层并且电连接至所述导电结构。
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