南亚科技股份有限公司简志叡获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110629003.1，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法是由简志叡;黄韦智设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法，其中半导体制造系统包含蚀刻工具及测量装置。蚀刻工具用以乘载第一晶圆，并用以处理第一晶圆的第一背面。测量装置设置于蚀刻工具内，其中测量装置包含摄影机及控制器。摄影机用以针对第一晶圆的第一背面拍摄影像。控制器用以接收影像以判断经蚀刻工具处理的第一背面是否被过度蚀刻，并产生过度蚀刻信号。借此，本发明的半导体制造系统，可以及时发现晶圆背面是否被过度蚀刻。
本发明授权半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造系统，其特征在于，包含： 蚀刻工具，所述蚀刻工具用以乘载第一晶圆，并用以处理所述第一晶圆的第一背面；以及 测量装置，所述测量装置设置于所述蚀刻工具内，其中所述测量装置包含： 摄影机，所述摄影机用以针对所述第一晶圆的所述第一背面拍摄影像；以及 控制器，所述控制器用以接收所述影像以判断经所述蚀刻工具处理的所述第一背面是否被过度蚀刻，并产生过度蚀刻信号，所述控制器还用以计算所述影像内所述第一背面的多个像素的每一个的颜色与平均值的多个差值，并根据所述多个差值判断所述第一背面是否被过度蚀刻，其中，所述平均值是通过多个正常晶圆的颜色所计算的， 其中所述蚀刻工具利用蚀刻液处理所述第一背面，并回收所述蚀刻液，所述过度蚀刻信号是用于表示所述蚀刻液是否已经被污染； 其中所述半导体制造系统一步包含主机； 其中响应于所述过度蚀刻信号产生之后，所述主机根据该过度蚀刻信号控制所述蚀刻工具停止利用所述蚀刻液处理第二晶圆的第二背面。
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