长江存储科技有限责任公司顾妍获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210220730.7，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备是由顾妍;王迪;张庆福;周文犀设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决现有技术中三维存储器生产成本较高的技术问题。半导体结构包括堆叠结构、导电结构和导电插塞。堆叠结构包括核心区和非核心区。堆叠结构包括沿第一方向层叠设置的多层栅极层。多层栅极层间隔分布。导电结构位于非核心区。导电结构包括第一部分和第二部分。第一部分与一层栅极层同层设置且电接触。第二部分与第一部分电接触。第二部分向上贯穿堆叠结构，且围设出插塞开口。导电插塞位于插塞开口内且与第二部分电接触。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 堆叠结构，包括核心区和非核心区；所述堆叠结构包括沿第一方向层叠设置的多层栅极层，所述多层栅极层间隔分布； 导电结构，位于所述非核心区；所述导电结构包括第一部分和第二部分；所述第一部分与一层所述栅极层同层设置且电接触；所述第二部分与所述第一部分电接触，所述第二部分向上贯穿所述堆叠结构，且围设出插塞开口；以及， 导电插塞，位于所述插塞开口内且与所述第二部分电接触，其中，所述导电插塞与所述导电结构围设形成容纳腔； 绝缘材料，填充于所述容纳腔内。
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