盛吉盛半导体科技(北京)有限公司;盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司项习飞获国家专利权
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龙图腾网获悉盛吉盛半导体科技(北京)有限公司;盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司申请的专利一种硅反应装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114664706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210289240.2,技术领域涉及:H10P72/00;该发明授权一种硅反应装置是由项习飞;田才忠;李士昌;王美玲设计研发完成,并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅反应装置在说明书摘要公布了:本发明涉及一种硅反应装置,包括腔体、硅晶圆以及多个进气部,硅晶圆设置于腔体的内部,多个进气部均设置于腔体的顶部,进气部的内壁被构造成弧面,进气部的内壁与硅晶圆具有相同的圆心,进气部的内壁上设置有多个进气孔。本发明能够提高硅反应装置内气体的均匀性分布。
本发明授权一种硅反应装置在权利要求书中公布了:1.一种硅反应装置,其特征在于,包括腔体、硅晶圆以及多个进气部,所述硅晶圆设置于所述腔体的内部,多个所述进气部均设置于所述腔体的顶部,所述进气部的内壁被构造成弧面,所述进气部的内壁与所述硅晶圆具有相同的圆心,所述进气部的内壁上设置有多个进气孔; 多个所述进气孔均具有相同的长度以及形状; 所述进气部的内壁的直径大于所述硅晶圆的直径; 多个所述进气孔均被构造成与所述腔体的顶部平面的角度大于0°且小于等于45°; 所述硅反应装置还包括上盖板,所述上盖板盖合于所述腔体的顶部,所述进气部固定在所述上盖板上; 所述硅反应装置还包括缓冲尾腔以及抽气管路,所述腔体的侧壁上设置有多个出气孔,多个所述出气孔分别通过所述抽气管路连通至所述缓冲尾腔; 所述硅反应装置还包括载台,所述载台设置于所述腔体的内部,所述硅晶圆放置于所述载台上,多个所述出气孔均设置在腔体侧壁的低于所述载台的水平高度的位置处。
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