长江存储科技有限责任公司王香凝获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210197221.7，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权三维存储器及其制造方法是由王香凝;袁彬;李贝贝;杨竹;左晨设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括多个存储平面，每个存储平面包括沿第一方向设置的至少一个虚设存储块和多个存储块，虚设存储块位于多个存储块的两侧，存储块和虚设存储块包括具有多个台阶的阶梯结构；以及标记结构组，设置于多个存储平面的至少两个存储平面各自包括的至少一个虚设存储块的阶梯结构中，每个标记结构组包括沿与第一方向交叉的第二方向在台阶上间隔设置的多个标记结构；其中，标记结构的高度大于等于台阶的高度，并且不同存储平面内的标记结构的排布方式彼此不同。
本发明授权三维存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.三维存储器，其特征在于，包括： 多个存储平面，每个所述存储平面包括沿第一方向设置的至少一个虚设存储块和多个存储块，所述虚设存储块位于所述多个存储块的侧边，所述存储块和所述虚设存储块包括具有多个台阶的阶梯结构；以及 标记结构组，设置于所述多个存储平面的至少两个所述存储平面各自包括的至少一个所述虚设存储块的阶梯结构中，每个所述标记结构组包括沿与所述第一方向交叉的第二方向在所述台阶上间隔设置的多个标记结构， 其中，所述标记结构的高度大于等于所述台阶的高度，并且不同所述存储平面内的所述标记结构的排布方式彼此不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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