索尼半导体解决方案公司井上晃一获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利成像元件和成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080071576.0，技术领域涉及：H04N5/00；该发明授权成像元件和成像装置是由井上晃一设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像元件和成像装置在说明书摘要公布了：根据本发明，提高了成像元件的灵敏度。成像元件包括像素和导光壁。各像素包括：布置在半导体基板上并对入射光执行光电转换的光电转换单元、将入射光会聚在光电转换单元上的片上透镜、使会聚的入射光中具有预定波长的入射光透过的滤色器以及布置在半导体基板和滤色器之间的层间膜。导光壁布置在像素的边界处并形成为使得导光壁的端部位于围绕像素的凹部中，并引导入射光，凹部构造成围绕滤色器并形成在像素的边界处的层间膜中的形状。
本发明授权成像元件和成像装置在权利要求书中公布了：1.一种成像元件，包括： 多个像素，其中所述多个像素包括： 半导体基板，其中所述半导体基板具有前面侧和背面侧； 布线层，其布置在所述半导体基板的所述前面侧； 层间膜，其布置在所述半导体基板的所述背面侧并且在像素之间的边界处具有凹部； 第一滤色器和第二滤色器，其在截面图中横向布置在所述层间膜的光入射侧的上方； 膜，其至少布置在所述凹部上；和 区域，其布置在所述第一滤色器和所述第二滤色器之间，其中所述膜布置在所述区域和所述凹部之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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