厦门市三安集成电路有限公司陈东坡获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利HBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210216077.7，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权HBT器件及其制备方法是由陈东坡;黄治浩;魏鸿基;郭佳衢设计研发完成，并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本HBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种HBT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该HBT器件的制备方法包括：提供一衬底，衬底包括有源区和位于有源区之外的无源区；在有源区形成HBT器件的主动器件，并在无源区形成焊盘，以得到第一器件；在第一器件上形成钝化层，并刻蚀位于无源区的钝化层，以形成露出焊盘的第一窗口；在钝化层上形成种子层，种子层通过第一窗口与焊盘接触连接；在种子层上涂覆光刻胶层，并刻蚀位于无源区内的光刻胶层，以形成露出种子层的第二窗口；通过电镀工艺在第二窗口内形成电镀金属层，并在电镀金属层上蒸镀顶层金属层；去除光刻胶层；去除露出的种子层。该HBT器件的制备方法能够减少HBT器件的制备工序、提高制备效率。
本发明授权HBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种HBT器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包括有源区和位于有源区之外的无源区； 在所述有源区形成HBT器件的主动器件，并在所述无源区形成焊盘，以得到第一器件，所述焊盘用于通过金属连线连接所述主动器件； 在所述第一器件上形成钝化层，并刻蚀位于所述无源区的所述钝化层，以形成露出所述焊盘的第一窗口； 在所述钝化层上形成种子层，所述种子层通过所述第一窗口与所述焊盘接触连接； 在所述种子层上涂覆光刻胶层，并刻蚀位于所述无源区内的所述光刻胶层，以形成露出所述种子层的第二窗口； 通过电镀工艺在所述第二窗口内形成电镀金属层，并在所述电镀金属层上蒸镀顶层金属层； 去除所述光刻胶层； 去除露出的所述种子层； 所述顶层金属层的材质为Ti。
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