应用材料公司姜浩获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利间隙填充沉积工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080071721.5，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权间隙填充沉积工艺是由姜浩;古劳斯·贝基亚里斯;埃莉卡·陈;梅裕尔·B·奈克设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本间隙填充沉积工艺在说明书摘要公布了：提供用于在群集处理系统中的基板上形成互连结构以及热处理此互连结构的方法。在一个实施方式中，用于供半导体装置的装置结构的方法包括以下步骤：于设置在基板上的材料层中所形成的开口中形成阻挡层；于阻挡层上形成界面层；于界面层上形成间隙填充层；和于基板上执行退火工艺，其中在大于5巴的压力范围下执行退火工艺。
本发明授权间隙填充沉积工艺在权利要求书中公布了：1.一种形成用于半导体装置的装置结构的方法，所述方法包括以下步骤： 于设置在基板上的材料层中所形成的开口中形成阻挡层，其中所述开口的宽度小于20nm； 于所述阻挡层上执行第一等离子体处理工艺； 在执行所述第一等离子体处理工艺之后，于所述阻挡层上形成界面层，其中所述界面层的厚度介于约0.3nm与约3nm之间； 于所述界面层上形成间隙填充层；和 于所述基板上执行退火工艺，其中在大于5巴的压力范围下执行所述退火工艺。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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