长江存储科技有限责任公司王欣获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005382.5，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权半导体器件结构及其制备方法是由王欣;甘程;田武设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件结构及其制备方法，所述半导体器件结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的多个有源区及隔离结构，所述有源区及所述隔离结构沿第一方向交替间隔排布，所述有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相垂直；至少位于所述有源区上的栅极结构；以及至少位于所述隔离结构上的虚拟结构，且在所述第二方向上所述栅极结构与所述虚拟结构之间具有间距；所述有源区还形成有位于所述栅极结构两侧的源极掺杂区及漏极掺杂区，所述虚拟结构在所述隔离结构上的投影位于所述源极掺杂区之间、和或所述虚拟结构在所述隔离结构上的投影位于所述漏极掺杂区之间。
本发明授权半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括： 半导体衬底； 多个有源区和多个隔离结构，位于所述半导体衬底内，所述有源区及所述隔离结构沿第一方向交替间隔排布，所述有源区沿第二方向延伸；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直； 栅极结构，至少位于所述有源区上；以及 虚拟结构，至少位于所述隔离结构上，且在所述第二方向上所述栅极结构与所述虚拟结构之间具有间距； 所述有源区还包括：源极掺杂区和漏极掺杂区，所述源极掺杂区位于所述栅极结构的一侧，所述漏极掺杂区位于所述栅极结构的另一侧；其中，所述栅极结构的一侧和所述栅极结构的另一侧为相对设置的两侧； 其中，所述虚拟结构在所述隔离结构上的投影，位于沿第一方向排布的两个所述源极掺杂区之间；和或，所述虚拟结构在所述隔离结构上的投影，位于沿第一方向排布的两个所述漏极掺杂区之间。
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