上海新硅聚合半导体有限公司欧欣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种滤波器薄膜衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114465589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210105227.7，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种滤波器薄膜衬底及其制备方法是由欧欣;李忠旭;黄凯设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种滤波器薄膜衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种滤波器薄膜衬底及其制备方法。所述方法包括：S100:提供支撑衬底；S200:在所述支撑衬底的一侧表面上预设厚度的压电薄膜；S300:对所述压电薄膜进行热处理，将所述压电薄膜加热至居里温度以上，保温第一预设时间；在所述热处理的过程中对所述压电薄膜施加预设电压；S400:在所述压电薄膜上施加能量脉冲，以将所述压电薄膜转变为目标压电层，得到所述薄膜衬底，所述目标压电层为择优取向的多晶压电薄膜。本申请实现了极化取向随机排布的多晶压电薄膜向择优取向的高质量多晶压电薄膜的转变，以及非晶压电薄膜向多晶压电薄膜的转变，提高了压电薄膜的材料质量，有利于制备高频和高性能的体声波器件。
本发明授权一种滤波器薄膜衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种滤波器薄膜衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括： S100:提供支撑衬底100； S200:在所述支撑衬底100的一侧表面上形成预设厚度的压电薄膜200； S300:对所述压电薄膜200进行热处理，将所述压电薄膜200加热至居里温度以上，保温第一预设时间；在所述热处理的过程中对所述压电薄膜200施加预设电压；所述预设电压大于0KV且小于等于100KV，所述第一预设时间为0.1100h； S400:在所述压电薄膜200上施加能量脉冲，以将所述压电薄膜200转变为目标压电层300，得到所述薄膜衬底，所述目标压电层300为择优取向的多晶压电薄膜；所述能量脉冲的能量为0.110Jcm2，所述能量脉冲的持续时间为0.120ns。
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