美光科技公司K·M·考尔道获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有双晶体管存储器单元及存取线路板的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303242B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080060507.X，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权具有双晶体管存储器单元及存取线路板的存储器装置是由K·M·考尔道;K·萨尔帕特瓦里;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有双晶体管存储器单元及存取线路板的存储器装置在说明书摘要公布了：一些实施例包含设备及方法，其使用衬底、具有垂直于所述衬底的长度的支柱、第一导电板、第二导电板、位于所述第一导电板与所述第二导电板之间且与所述第一导电板及所述第二导电板电分开的存储器单元，及导电连接。所述第一导电板位于所述设备的第一层级中且通过位于所述第一层级中的第一电介质与所述支柱分开。所述第二导电板位于所述设备的第二层级中且通过位于所述第二层级中的第二电介质与所述支柱分开。所述存储器单元包含位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第三层级中且与所述支柱及所述导电连接接触的第一半导体材料，及位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第四层级中且与所述支柱接触的第二半导体材料。
本发明授权具有双晶体管存储器单元及存取线路板的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 衬底： 支柱，其具有垂直于所述衬底的长度； 第一导电板，其位于所述设备的第一层级中，所述第一导电板通过位于所述第一层级中的第一电介质与所述支柱分开； 第二导电板，其位于所述设备的第二层级中，所述第二导电板通过位于所述第二层级中的第二电介质与所述支柱分开； 存储器单元，其位于所述第一导电板与所述第二导电板之间且与所述第一导电板及所述第二导电板电分开，所述存储器单元包含位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第三层级中且与所述支柱接触的第一半导体材料及位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第四层级中且与所述支柱接触的第二半导体材料；以及 导电连接，其与所述第一半导体材料接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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