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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111282538.2，技术领域涉及：H10B69/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由张中;王迪;周文犀设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括多个堆叠对，其中，堆叠结构包括第一阵列区、第二阵列区以及设置在第一阵列区和第二阵列区之间的第一连接区，第一连接区包括在第一方向上依次设置的多个子连接区域；刻蚀多个子连接区域上的堆叠结构以形成多个初始阶梯块，每个初始阶梯块包括第一初始部分与第二初始部分，第一初始部分与第二初始部分具有高度差；对多个初始阶梯块进行刻蚀以形成多个依次设置的台阶块，台阶块中的台阶包括至少两个堆叠对。本申请的两个堆叠对形成一个台阶，台阶的阶梯角落里不会有残留物残留，台阶块后续的操作空间较大。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个堆叠对，其中，所述堆叠结构包括第一阵列区、第二阵列区以及设置在所述第一阵列区和所述第二阵列区之间的第一连接区，所述第一连接区包括在第一方向上依次设置的多个子连接区域；所述第一连接区还包括第一顶栅区域和第二顶栅区域，多个所述子连接区域在所述第一方向上连接在所述第一顶栅区域和所述第二顶栅区域之间； 以一个堆叠对的高度为刻蚀单元对所述第一顶栅区域上的堆叠结构进行刻蚀以形成第一顶部选择栅台阶块，和或，以一个堆叠对的高度为刻蚀单元对所述第二顶栅区域上的堆叠结构进行刻蚀以形成第二顶部选择栅台阶块； 其中，位于顶部的台阶块的起始台阶比所述第一顶部选择栅台阶块和或所述第二顶部选择栅台阶块的尾端台阶至少高一个堆叠对的高度； 刻蚀多个所述子连接区域上的堆叠结构以形成多个初始阶梯块，每个所述初始阶梯块包括第一初始部分与第二初始部分，所述第一初始部分与所述第二初始部分具有高度差； 以至少两个堆叠对的高度为刻蚀单元对多个所述初始阶梯块进行刻蚀以形成多个中间台阶块，所述初始阶梯块的所述第一初始部分比所述第二初始部分高三个所述堆叠对的高度，所述初始阶梯块的第一初始部分刻蚀后形成所述中间台阶块的第一台阶部，所述初始阶梯块的第二初始部分刻蚀后形成所述中间台阶块的第二台阶部，所述中间台阶块的第一台阶部与所述第二台阶部相对设置，且所述中间台阶块的第一台阶部的台阶与第二台阶部的台阶错位排布，所述第一台阶部比所述第二台阶部高三个堆叠对的高度，所述台阶块中的每个台阶包括至少两个堆叠对。

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