西安电子科技大学芜湖研究院林长志获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种散热增强的常关型GaN HEMT结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111397484.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种散热增强的常关型GaN HEMT结构及其制备方法是由林长志;陈兴;王东;吴勇;黄永;陈瑶;李彦佐;邱慧嫣;谢雨峰设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种散热增强的常关型GaN HEMT结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种散热增强的常关型GaNHEMT结构，涉及半导体技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、低温AlN成核层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、介质层、T形多晶金刚石和栅电极，源电极和漏电极位于AlGaN势垒层上，在AlGaN势垒层上刻蚀有T形凹槽并生长有介质层，在介质层上刻蚀有T形凹槽并生长有T形多晶金刚石，并提出了上述结构的制备方法，本发明基于金刚石具有高热导率的优势，提出了一种散热增强的常关型GaNHEMT结构及其实现方案，可以有效的提高AlGaNGaNHEMT功率器件散热能力，并在增强散热的基础上实现增强型GaNHEMT器件。
本发明授权一种散热增强的常关型GaN HEMT结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种散热增强的常关型GaNHEMT结构，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底101、低温AlN成核层102、GaN沟道层103、AlGaN势垒层104、介质层111、T形多晶金刚石105和栅电极107，源电极106和漏电极108位于AlGaN势垒层104上，在AlGaN势垒层104上刻蚀有T形凹槽并生长有介质层111，在介质层111上刻蚀有T形凹槽并生长有T形多晶金刚石105，栅电极107位于T形多晶金刚石105上。
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