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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764412B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110122018.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及其制造方法是由朴柱勋;裴德汉;金盛民;李留利;郑润永;洪秀妍设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件，包括：衬底，具有在一个方向上间隔开的PMOSFET区和NMOSFET区；器件隔离层，设置在衬底上，所述器件隔离层限定分别在PMOSFET区和NMOSFET区上的第一有源图案和第二有源图案；栅电极，跨越第一有源图案和第二有源图案；第一源漏图案和第二源漏图案，分别设置在第一有源图案和第二有源图案上，并且分别在栅电极附近；以及，有源接触部，在所述方向上延伸并且耦接到第一源漏图案和第二源漏图案。所述有源接触部包括：第一主体部分和第二主体部分，所述第一主体部分和第二主体部分分别设置在第一源漏图案和第二源漏图案上；以及第一突出部分和凹陷部分，所述第一突出部分和所述凹陷部分设置在第一主体部分和第二主体部分之间，并且在PMOSFET区和NMOSFET区之间的器件隔离层上。所述凹陷部分具有向上凹陷的底部。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，具有在第一方向上彼此间隔开的PMOSFET区和NMOSFET区； 器件隔离层，在所述衬底上，所述器件隔离层限定所述PMOSFET区上的第一有源图案和所述NMOSFET区上的第二有源图案； 栅电极，在所述第一方向上延伸并且跨越所述第一有源图案和所述第二有源图案； 第一源漏图案和第二源漏图案，分别在所述第一有源图案和所述第二有源图案上，所述第一源漏图案和所述第二源漏图案中的每一个与所述栅电极的侧面相邻；以及 第一有源接触部，在所述第一方向上延伸并且耦接到所述第一源漏图案和所述第二源漏图案， 其中，所述第一有源接触部包括： 所述第一源漏图案上的第一主体部分， 所述第二源漏图案上的第二主体部分，以及 所述第一主体部分和所述第二主体部分之间的第一突出部分和凹陷部分， 所述第一突出部分和所述凹陷部分在所述PMOSFET区和所述NMOSFET区之间的所述器件隔离层上方，并且 所述第一有源接触部的所述凹陷部分具有在远离所述器件隔离层的第二方向上凹陷的底表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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