三星电子株式会社南丞祐获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110056565.1，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权三维半导体存储器件是由南丞祐;李秉一;徐裕轸设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：三维半导体存储器件可以包括：水平结构，可以位于衬底的上表面上，并且可以包括顺序堆叠在所述衬底的所述上表面上的第一水平图案和第二水平图案；堆叠结构，包括堆叠在所述水平结构上的电极；垂直图案，延伸穿过所述电极并且连接到所述第一水平图案；和分隔结构，与所述堆叠结构和所述水平结构相交并且突出到所述衬底的所述上表面中。最下面的电极可以具有彼此面对的第一内侧壁，所述分隔结构介于所述第一内侧壁之间。所述第二水平图案可以具有彼此面对的第二内侧壁，所述分隔结构介于所述第二内侧壁之间。所述第一内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离可以小于所述第二内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括： 水平结构，所述水平结构位于衬底的上表面上，所述水平结构包括在垂直方向上顺序堆叠在所述衬底的所述上表面上的第一水平图案和第二水平图案； 堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述垂直方向上堆叠在所述水平结构上的多个电极； 垂直图案，所述垂直图案延伸穿过所述多个电极并且连接到所述第一水平图案；和 分隔结构，所述分隔结构与所述堆叠结构和所述水平结构相交并且突出到所述衬底的所述上表面中， 其中，所述多个电极中的最下面的电极包括彼此面对并且在第一方向上彼此间隔开的第一内侧壁，所述分隔结构介于所述第一内侧壁之间，并且所述第二水平图案包括彼此面对并且在所述第一方向上彼此间隔开的第二内侧壁，所述分隔结构介于所述第二内侧壁之间，并且 其中，所述第一内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离小于所述第二内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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