ASM IP 控股有限公司拉提沙奇特获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP 控股有限公司申请的专利用于半导体衬底处理的基座获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011145201.2，技术领域涉及：H10P72/76；该发明授权用于半导体衬底处理的基座是由拉提沙奇特;S·K·T·R·穆拉利达尔;S·栾;A·德莫斯;X·林设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体衬底处理的基座在说明书摘要公布了：本文公开了一种用于半导体衬底处理的基座。在一些实施例中，所述基座可以包括内部基座部分和外部基座部分。所述基座部分可以经由互补特征自对准，所述互补特征例如是所述外部基座上的突片和所述内部基座部分上的凹部。所述内部基座部分可以包含若干接触垫，在半导体处理期间，利用所述接触垫支撑晶片。在一些实施例中，所述接触垫是半球形的，以减小与所述晶片的接触面积，从而降低背侧损坏的风险。所述内部基座部分可以包含用于接收热电偶的腔。在一些实施例中，所述腔的直径大于所述热电偶的直径，使得在处理期间所述热电偶不接触所述腔的壁，从而提供高度精确的温度测量。
本发明授权用于半导体衬底处理的基座在权利要求书中公布了：1.一种用于处理衬底的设备，所述设备包括： 处理室，所述处理室被配置成容纳衬底；以及 基座，所述基座设置在所述处理室中且被配置成支撑所述衬底， 其中所述基座包括内部基座部分和环绕所述内部基座部分的外部基座部分， 其中所述内部基座部分包含多个凹部，并且所述外部基座部分包含在所述内部基座部分下方延伸以支撑所述内部基座部分的多个凸起部， 其中所述凸起部中的每一个具有大致三角形形状且对准在所述凹部中的对应一个内，其中所述凸起部的所述三角形形状的顶点朝向所述内部基座部分的中心突出，所述凸起部的边缘是倒角的，使得凸起部的下部部分比凸起部的上部部分占据更大面积。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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