宁波飞芯电子科技有限公司雷述宇获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波飞芯电子科技有限公司申请的专利一种半导体激光发射器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011354208.5，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种半导体激光发射器是由雷述宇设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光发射器在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体激光发射器，其特征在于，包括：第一DBR层，第二DBR层，位于第一DBR层上方的谐振部，以及配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区，所述第一DBR层还连接衬底层，通过如此设计，N‑DBR对数可由原来的22‑26pairs减少至8‑10pairs，可以有效的减小N‑DBR电阻以及工作过程产生的焦耳热。
本发明授权一种半导体激光发射器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光发射器，其特征在于，包括：第一DBR层，第二DBR层，位于第一DBR层上方的谐振部，以及配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区，所述第一DBR层还连接衬底层； 所述的谐振部包括外腔反射镜和透明导电层，所述谐振部贯穿整个所述衬底层； 所述外腔反射镜与所述第一DBR层形成谐振腔； 通过化学气相沉积技术在出光窗口进行透明导电材料沉积，形成所述透明导电层，通过化学气相沉积技术在出光窗口填有透明导电材料的上方沉积介质层，所沉积介质层为外腔反射镜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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