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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310100B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010401841.9，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权垂直存储器装置是由尹敬和;金燦镐;姜东求设计研发完成，并于2020-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种垂直存储器装置。该垂直存储器装置包括：栅电极，形成在基底上且在与基底的上表面基本上垂直的第一方向上彼此分隔开，栅电极包括第一栅电极和插置在第一栅电极与基底之间的第二栅电极；沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；绝缘隔离图案，在第一方向上延伸穿过第一栅电极，并在与基底的上表面基本上平行的第二方向上将第一栅电极分开；以及阻挡图案，设置在每个栅电极的上表面、下表面和侧壁上，栅电极的侧壁面对沟道。绝缘隔离图案直接接触第一栅电极。

本发明授权垂直存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括： 栅电极，形成在基底上且在与基底的上表面基本上垂直的第一方向上彼此分隔开，栅电极包括第一栅电极、插置在第一栅电极与基底之间的多个第二栅电极以及插置在基底与所述多个第二栅电极之间的第三栅电极； 多条共源极线，沿着与基底的上表面基本上平行的第二方向彼此分开，所述多条共源极线中的每条在第一方向上延伸穿过每个栅电极并在与基底的上表面基本上平行且与第二方向交叉的第三方向上延伸； 多个沟道，在所述多条共源极线之中的两条相邻的共源极线之间沿着第二方向和第三方向中的每个彼此分隔开，每个沟道在第一方向上延伸穿过栅电极，每个沟道包括多个部分，所述多个部分中的每个具有随着距基底的距离的增大而逐渐地增大的宽度，每个沟道的所述多个部分顺序地且连续地堆叠在基底上并彼此连接； 电荷存储结构，设置在每个沟道的外壁上，电荷存储结构包括顺序地堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案，电荷存储结构在沟道的所述多个部分中的两个部分之间的界面处具有隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案中的每个与基底的上表面基本上平行延伸的水平部分； 两个或更多个绝缘隔离图案，在所述多条共源极线之中的两条相邻的共源极线之间沿着第二方向彼此分隔开，每个绝缘隔离图案在第一方向上延伸穿过第一栅电极，并在第二方向上将第一栅电极分开；以及 阻挡图案，设置在每个栅电极的上表面、下表面和侧壁上，栅电极的侧壁面对沟道， 其中，绝缘隔离图案直接接触第一栅电极， 其中，第一栅电极用作串选择线，所述多个第二栅电极中的每个用作字线，第三栅电极用作地选择线。

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