维耶尔公司格拉姆雷扎·查济获国家专利权
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龙图腾网获悉维耶尔公司申请的专利自对准竖直固态装置制造和集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111192820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910888939.9，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权自对准竖直固态装置制造和集成方法是由格拉姆雷扎·查济;埃桑诺拉·法蒂设计研发完成，并于2019-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本自对准竖直固态装置制造和集成方法在说明书摘要公布了：本申请涉及自对准竖直固态装置制造和集成方法。各种实施例包括制造自对准竖直固态装置阵列和将所述装置集成到系统衬底的方法。制造自对准竖直固态装置的方法包含：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积多个装置层；在所述多个装置层中的一个的上表面上沉积欧姆接触层，其中所述装置层包含有源层和掺杂导电层；在所述欧姆接触层上形成图案化厚导电层；和选择性向下蚀刻所述掺杂导电层，基本上不蚀刻所述有源层。
本发明授权自对准竖直固态装置制造和集成方法在权利要求书中公布了：1.一种制造自对准竖直固态装置的方法，所述方法包含： 提供衬底； 在所述衬底上沉积多个装置层； 在所述多个装置层中的一个的上表面上沉积欧姆接触层，其中所述多个装置层包含有源层和掺杂导电层； 在所述欧姆接触层或所述掺杂导电层的顶部上沉积金属导电层； 图案化所述金属导电层； 图案化所述掺杂导电层，所述掺杂导电层包括硬掩模层和光刻胶层，通过在所述金属导电层上方沉积所述硬掩模层、在所述硬掩模层上沉积图案化光刻胶层，以覆盖外延层和所述衬底，并用所述硬掩模层图案化所述金属导电层以界定所述装置的接触区域； 保形地沉积钝化层，所述钝化层覆盖所述多个装置层的上表面和所述表面上形成的其它层； 去除所述钝化层以暴露所述金属导电层的顶部； 蚀刻在所述金属导电层顶部形成的所述钝化层； 去除所述硬掩模层； 在所述光刻胶层上沉积第一介电层； 在所述第一介电层之后沉积另一导电层； 在沉积所述另一导电层之后沉积第二介电层；以及 偏置所述另一导电层以隔离与所述欧姆接触层相关的区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人维耶尔公司，其通讯地址为：加拿大安大略；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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