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龙图腾网获悉清华大学申请的专利应用于压接型MOSFET的栅极结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110767638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810829499.5，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权应用于压接型MOSFET的栅极结构是由陈政宇;曾嵘;赵彪;余占清;刘佳鹏;周文鹏设计研发完成，并于2018-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于压接型MOSFET的栅极结构在说明书摘要公布了：一种应用于压接型MOSFET的栅极结构，包括第一铜块，压接型MOSFET，栅极连接件，接收外部栅极控制信号的连接接口，第二铜块，与所述压接型MOSFET栅极接触的棒状金属，用于所述棒状金属与所述栅极连接件连接的弹性结构，所述栅极连接件与所述第二铜块之间的绝缘介质。使用对MOSFET散热路径无阻隔作用的上述栅极结构，能够提升散热能力，同时简化压装结构。

本发明授权应用于压接型MOSFET的栅极结构在权利要求书中公布了：1.一种应用于压接型MOSFET的栅极结构，其特征在于：包括第一铜块、压接型MOSFET、栅极连接件、接收外部栅极控制信号的连接接口、第二铜块、弹性结构、与所述压接型MOSFET栅极接触的棒状金属、所述栅极连接件与所述第二铜块之间的绝缘介质； 其中，所述压接型MOSFET位于所述第一铜块与所述第二铜块之间，所述第一铜块与所述第二铜块之间具有一定的压力；其中，所述第一铜块包括一个或多个，每个所述第一铜块与所述压接型MOSFET的漏极等电位，所述第二铜块包括一个或多个，每个所述第二铜块与所述压接型MOSFET的源极等电位； 其中，所述压接型MOSFET的源极与所述第二铜块的凸起部分连接； 当所述栅极连接件为金属结构时，所述棒状金属固定在所述栅极连接件上表面的凹槽内；当所述栅极连接件为电路板时，所述棒状金属设置在连接于电路板上定位孔的筒状结构中； 当所述栅极连接件为金属结构时，所述栅极连接件置于所述第二铜块的凹槽内，并通过所述绝缘介质与所述第二铜块电气绝缘和固定；当所述栅极连接件为电路板时，所述绝缘介质为电路板表面； 所述栅极连接件与所述压接型MOSFET的栅极通过所述弹性结构和所述棒状金属电气连接； 所述栅极连接件与所述连接接口相连，所述连接接口接收外部栅极控制信号； 一个所述栅极连接件用于将多个所述压接型MOSFET的栅极电气连接，其中一个所述压接型MOSFET对应一个所述弹性结构和一个所述棒状金属。

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