日月光半导体制造股份有限公司孔政渊获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利电容器组结构、半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110634844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910543682.3，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权电容器组结构、半导体封装结构及其制造方法是由孔政渊;陈建桦;李德章;林弘毅;李宝男;王信翔;许民赐;陈柏豪设计研发完成，并于2019-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器组结构、半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种电容器组结构包含多个电容器、保护材料、第一电介质层和多个第一支柱。所述电容器并排地安置。所述电容器中的每一个具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包含多个第一电极和多个第二电极。所述第一电极安置为邻近于所述第一表面以用于外部连接，且所述第二电极安置为邻近于所述第二表面以用于外部连接。所述保护材料覆盖所述电容器、所述第一电极的侧壁和所述第二电极的侧壁，且具有对应于所述电容器的所述第一表面的第一表面和对应于所述电容器的所述第二表面的第二表面。所述第一电介质层安置于所述保护材料的所述第一表面上，且界定多个开口以暴露所述第一电极。所述第一支柱安置于所述第一电介质层的所述开口中且从所述第一电介质层突出。
本发明授权电容器组结构、半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器组结构，其包括： 并排地安置的多个电容器，其中所述电容器中的每一个包含多个第一电极和与所述多个第一电极相对的多个第二电极； 多个导电衬垫，其电连接到所述第二电极； 第一保护材料，覆盖所述电容器、所述第二电极的侧壁和所述导电衬垫的侧壁； 第二保护材料，覆盖所述第一保护材料和所述第一电极的侧壁，其中所述第一保护材料的材料不同于所述第二保护材料的材料； 第一电介质层，其安置于所述第二保护材料的第一表面上，且界定多个开口以暴露所述第一电极；以及 多个第一支柱，其安置于所述第一电介质层的所述开口中且从所述第一电介质层突出。
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