中科同德微电子科技(大同)有限公司王佳恒获国家专利权
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龙图腾网获悉中科同德微电子科技(大同)有限公司申请的专利一种基于陶瓷基板的IGBT模块封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223810141U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520131996.3，技术领域涉及：H10W74/10；该实用新型一种基于陶瓷基板的IGBT模块封装结构是由王佳恒;张伟;司少杰;刘俊峰设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于陶瓷基板的IGBT模块封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于陶瓷基板的IGBT模块封装结构，旨在解决传统封装的键合线易失效、散热差等问题。该结构以散热底板为基础，设有壳体、端子，散热底板上依次有多层结构，关键在于引入金属铜片，其通过焊层与IGBT芯片、端子、上铜层连接，取代键合线实现电气连接，承载能力强、不易老化。同时，精心设计多处散热间隙并填充导热凝胶，配合金属铜片较大散热比表面积，构建高效散热路径，实现双面散热。还设有镜像对称结构拓展功能，各部件协同，提升模块可靠性、适用性，满足复杂电气应用需求。
本实用新型一种基于陶瓷基板的IGBT模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于陶瓷基板的IGBT模块封装结构，包括散热底板10，所述散热底板10上设有壳体11，所述壳体11的一侧上设有第一端子12，沿所述散热底板10到所述壳体11的方向，所述散热底板10上还依次设有第一焊层13、第一下铜层14、第一陶瓷基板15、第一上铜层16、第二焊层17与IGBT芯片18，其特征在于， 所述一种基于陶瓷基板的IGBT模块封装结构还包括第一金属铜片22、第三焊层19、第四焊层21与第五焊层20，所述第三焊层19的一端连接于IGBT芯片18，所述第三焊层19的另一端连接于所述第一金属铜片22；所述第四焊层21的一端连接于第一端子12，所述第四焊层21的另一端连接于所述第一金属铜片22；所述第五焊层20的一端连接于所述第一上铜层16，所述第五焊层20的另一端连接于所述第一金属铜片22。
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