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龙图腾网获悉中晶新源(上海)半导体有限公司申请的专利一种半导体功率器件封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223810135U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520685539.9，技术领域涉及：H10W70/40；该实用新型一种半导体功率器件封装结构是由黄子宵;蒙洁;王永晟设计研发完成，并于2025-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体功率器件封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体功率器件封装结构，包括引线框架、三个半桥支路、铜桥、引线和封装体；每个所述半桥支路包括串联的两个开关芯片；所述引线框架包括三个半桥中点端铜片、一个电源端铜片、多个源极引出铜片和多个栅极引出铜片；所述铜桥包括三个二点支撑铜桥和三个三点支撑铜桥；每个所述源极引出铜片包括成对设置的边缘引脚，所述成对设置的边缘引脚的底面外露于封装体且在焊盘面连通。本实用新型采用6in1的合封形式提高了芯片的集成度，集成封装通过优化内部互连结构，减少寄生电感电容，使功率器件开关速度提升，动态损耗降低30％以上，封装体积较传统方案缩小60％，适用于移动设备、车载电子等高密度场景。

本实用新型一种半导体功率器件封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件封装结构，其特征在于，包括引线框架、三个半桥支路、铜桥、引线和封装体； 每个所述半桥支路包括串联的两个开关芯片；所述两个开关芯片包括上开关和下开关；所述开关芯片有第一面和第二面，所述开关芯片的漏极设置在第一面，所述开关芯片的源极和栅极设置在第二面； 所述引线框架包括三个半桥中点端铜片、一个电源端铜片、多个源极引出铜片和多个栅极引出铜片，每个半桥支路对应的上开关设置在电源端铜片上，每个半桥支路对应的下开关设置在对应的半桥中点端铜片上；所述开关芯片的第一面朝向引线框架设置；所述半导体功率器件封装结构具有焊盘面，所述焊盘面具有依次相邻的第一边至第四边，所述第一边和第三边平行；所述电源端铜片从第二边延伸至第四边；所述半桥中点端铜片阵列设置在电源端铜片的朝向第三边的一侧；所述上开关对应的源极引出铜片和栅极引出铜片沿第一边设置；所述下开关对应的源极引出铜片和栅极引出铜片沿第三边设置； 所述铜桥包括三个二点支撑铜桥和三个三点支撑铜桥；所述二点支撑铜桥的一端和下开关的源极电连接，另一端和对应的源极引出铜片电连接；所述三点支撑铜桥的中间部和上开关的源极电连接，所述三点支撑铜桥的一端和对应的半桥中点端电连接，另一端和对应的源极引出铜片电连接；所述开关芯片的栅极和对应的栅极引出铜片通过引线电连接； 所述封装体包覆引线框架、开关芯片、铜桥和引线；所述半桥中点端铜片和电源端铜片的底面外露于封装体；每个所述源极引出铜片包括成对设置的边缘引脚，所述成对设置的边缘引脚的底面外露于封装体且在焊盘面连通。

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