正泰新能科技股份有限公司邱渝哲获国家专利权
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龙图腾网获悉正泰新能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223810092U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520155896.4，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型一种太阳能电池是由邱渝哲;蔡永梅;余浩;何胜;徐伟智;李俊;王鑫;梁琪;任宝金设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种太阳能电池，应用于光伏技术领域。通过在栅线区域设置两层隧穿层和两层掺杂多晶硅层沿厚度方向交替排布的叠层结构，且通过控制第一掺杂多晶硅层的厚度，以及第一掺杂多晶硅层与第二掺杂多晶硅层的厚度比值，设计较厚的掺杂多晶硅层，可以有效阻挡栅线烧穿掺杂多晶硅层实现隧穿传输，降低激光刻蚀非栅线区域造成的损伤，提高掺杂量实现更好的欧姆接触，从而有效降低栅线区域载流子的复合，进而提升电池的填充因子和开路电压并降低串联电阻；同时通过在非栅线区域不设置隧穿层和掺杂多晶硅层，可以极大地降低寄生吸收，进而可以提升电池效率。
本实用新型一种太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：衬底；所述衬底背面包括栅线区域和非栅线区域； 所述栅线区域设置有背面栅线和沿厚度方向依次设置的第一隧穿层、第一掺杂多晶硅层、第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；所述背面栅线沿所述厚度方向依次贯穿所述第二掺杂多晶硅层和所述第二隧穿层，并与所述第一掺杂多晶硅层接触； 所述第二掺杂多晶硅层的厚度与所述第一掺杂多晶硅层的厚度的比值为2-6.5，且包括两端的值；所述第一掺杂多晶硅层的厚度为20nm-40nm，且包括两端的值； 所述非栅线区域未设置有隧穿层和掺杂多晶硅层。
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