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龙图腾网获悉南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司申请的专利一种优化版图设计的IPD电容获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223810088U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423211281.3，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型一种优化版图设计的IPD电容是由祝超;沈辰;杨蕊;胡蝶;桂迪设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化版图设计的IPD电容在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种优化版图设计的IPD电容，包括PAD、电容作用区、等电位环、接地区和划片道。划片道和等电位环均为闭合的轮廓线，等电位环设置于划片道内；等电位环内侧设置至少一个接地区，接地区内设置有一个接地孔。PAD和电容作用区设置于等电位环内。电容作用区包括长条形的容值实现区和延伸部；延伸部设置于沿容值实现区远离PAD一侧的侧边；延伸部设置有沿容值实现区长度方向布置的过孔。通过在IPD电容的划片道内侧设置一圈等电位环并接地，可在电容加电时有效阻隔银离子的电位迁移。容值实现区侧边设置延伸部，并在延伸部设置过孔接地，可在过孔受到应力发生形变时，仅影响非容值实现区，减小对电容容值的影响，规避介质崩裂的可靠性风险。

本实用新型一种优化版图设计的IPD电容在权利要求书中公布了：1.一种优化版图设计的IPD电容，其特征在于，包括PAD1、电容作用区2、等电位环3、接地区14和划片道15； 所述划片道15和所述等电位环3均为闭合的轮廓线，所述等电位环3设置于所述划片道15内；所述等电位环3内侧设置至少一个所述接地区14；所述等电位环3和所述接地区14组成一致，自上而下依次包括下极板9、衬底10和背金11；所述接地区14内设置有一个接地孔4，所述接地孔4贯穿所述衬底10和所述背金11；所述接地孔4和所述等电位环3通过各自的所述下极板9相连； 所述PAD1和所述电容作用区2设置于所述等电位环3内，所述PAD1和所述电容作用区2的个数根据容值大小及电容分胞设计需求确定； 所述电容作用区2包括长条形的容值实现区5和延伸部6；所述容值实现区5自上而下依次包括上极板7、介质层8、所述下极板9、所述衬底10和所述背金11；所述下极板9、所述衬底10和所述背金11延伸构成所述延伸部6，所述延伸部6设置于沿所述容值实现区5远离所述PAD1一侧的侧边；所述延伸部6设置有沿所述容值实现区5长度方向布置的过孔12，所述过孔12贯穿所述衬底10和所述背金11。

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