湖南三安半导体有限责任公司陈晔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223810087U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423243272.2，技术领域涉及：H10D64/20；该实用新型半导体器件是由陈晔;肖兆京;冯露露;刘冬梅设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种半导体器件，包括：半导体基底，具有有源区和位于有源区外侧的外围区域；场氧层，设置在半导体基底上并暴露出有源区；金属电极层，设置在有源区并与半导体基底形成电接触、且从有源区朝向外围区域延伸至场氧层的背离半导体基底的一侧以与场氧层部分重叠，其中金属电极层具有上表面和下表面，金属电极层的与场氧层重叠的区域形成有自上表面贯穿至下表面的镂空部，场氧层的对应镂空部的部分设置有未贯穿场氧层且与镂空部相连通的凹槽；以及钝化层，设置在场氧层上、并从外围区域朝向有源区延伸至覆盖金属电极层且暴露出至少部分上表面。通过设置所述镂空部和与其相连通的所述凹槽，有利于提升器件的性能和可靠性。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体基底，具有有源区和位于所述有源区外侧的外围区域； 场氧层，设置在所述半导体基底上并暴露出所述有源区； 金属电极层，设置在所述有源区并与所述半导体基底形成电接触、且从所述有源区朝向所述外围区域延伸至所述场氧层的背离所述半导体基底的一侧以与所述场氧层部分重叠，其中所述金属电极层具有背离所述半导体基底的上表面和面向所述半导体基底的下表面，所述金属电极层的与所述场氧层重叠的区域形成有自所述上表面贯穿至所述下表面的镂空部，所述场氧层的对应所述镂空部的部分设置有未贯穿所述场氧层且与所述镂空部相连通的凹槽；以及 钝化层，设置在所述场氧层上、并从所述外围区域朝向所述有源区延伸至覆盖所述金属电极层且暴露出至少部分所述上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励