意法半导体国际公司F·尤克拉诺获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223810086U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423110236.9，技术领域涉及：H10D62/13；该实用新型半导体器件是由F·尤克拉诺;S·洛·韦尔索;S·塔兰托;C·特林加里设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本文涉及半导体器件。提供了一种基于包括工作体的异质结构的半导体器件，该半导体器件具有晶片和外延多层，外延多层在晶片上沿着从晶片的前表面直到上部表面的方向延伸。为了形成有源区，导电材料的导电区域被形成在外延多层上。为了形成用于偏置第一导电区域的接触区域：前沟槽被形成在工作体中，从晶片的上部表面开始朝向后表面直到接触表面；在接触表面上，导电区域被形成在前沟槽内，并且与第一导电区域电接触；后沟槽被形成在工作体中，从后表面开始朝向上部表面直到接触表面；以及在接触表面上，后金属化层被形成在晶片的后表面上和后沟槽内。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 管芯，包括具有前表面和后表面的衬底以及在所述衬底上沿着第一方向从所述衬底的所述前表面延伸直到上部表面的外延多层； 有源区，包括在所述外延多层上的导电材料的第一导电区域；以及 用于偏置所述第一导电区域的接触区域， 其中所述接触区域包括： 前沟槽，在所述管芯中从所述外延多层的所述上部表面朝向所述衬底的所述后表面延伸直到接触表面； 导电区域，在所述接触表面上在所述前沟槽内延伸，并且与所述第一导电区域电接触； 后沟槽，在所述管芯中从所述衬底的所述后表面朝向所述外延多层的所述上部表面延伸直到所述接触表面；以及 后金属化层，在所述接触表面上在所述衬底的所述后表面上以及所述后沟槽内延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士日内瓦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励