买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223810084U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520290902.7，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底；漂移层上设有凸起部；第一P型阱区连接至漂移层，第一P型阱区连接至凸起部；第一P型阱区内设有低阻区，低阻区内设有凹槽；第二P型阱区设于凹槽内；绝缘介质层连接至第二P型阱区，绝缘介质层下部设于凹槽内；绝缘介质层内设有沟槽；P型源区连接至第一P型阱区；N型源区连接至低阻区、P型源区及绝缘介质层；导电区连接至P型阱区、凸起部及绝缘介质层；保护区连接至导电区及绝缘介质层；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层连接至P型源区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底；通过对栅极结构和源极结构进行优化设计，实现了提高器件可靠性的目的。

本实用新型一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有凸起部； 第一P型阱区，所述第一P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第一P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述第一P型阱区内设有低阻区，所述低阻区内设有凹槽； 第二P型阱区，所述第二P型阱区设于所述凹槽内； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下侧面连接至所述第二P型阱区上侧面，所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内；所述绝缘介质层内设有沟槽； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述第一P型阱区上侧面； N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述N型源区外侧面连接至所述P型源区内侧面，所述N型源区内侧面连接至所述绝缘介质层外侧面； 导电区，所述导电区下侧面连接至所述P型阱区上侧面以及凸起部上侧面，所述导电区外侧面连接至所述绝缘介质层内侧面； 保护区，所述保护区下侧面连接至所述导电区上侧面，所述保护区外侧面连接至所述绝缘介质层内侧面； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层连接至所述P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。