上海新微半导体有限公司孙颜获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利pHEMT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223810082U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423300783.3，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型pHEMT器件是由孙颜;陈国基;王浩;杨宇设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本pHEMT器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种pHEMT器件，包括：基底和形成于基底上的金属互连结构；所述金属互连结构包括：从下至上依次堆叠的欧姆接触层、第一金属镀层和第二金属镀层；所述第一金属镀层包括从下至上依次堆叠的第一黏附层、第一金属结构层、第二金属结构层和第二黏附层，所述第一金属结构层的阻值小于所述第二金属结构层的阻值，所述第二金属结构层的硬度大于所述第一金属结构层的硬度。所述第一金属镀层中，通过形成硬度更高的所述第二金属结构层来改善因后续刻蚀工艺所导致的表面粗糙度以及阻挡所述第一金属结构层向所述第二黏附层扩散在所述第一金属镀层的表面形成聚集点，从而可以减小在所述第一金属镀层上电镀所述第二金属镀层时产生电镀花斑的可能性。
本实用新型pHEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种pHEMT器件，其特征在于，包括：基底和形成于所述基底上的金属互连结构； 所述金属互连结构包括：从下至上依次堆叠的欧姆接触层、第一金属镀层和第二金属镀层； 所述第一金属镀层包括从下至上依次堆叠的第一黏附层、第一金属结构层、第二金属结构层和第二黏附层，所述第二金属结构层用于阻挡所述第一金属结构层的金属向所述第二黏附层扩散在所述第一金属镀层的表面形成聚集点，所述第一金属结构层的阻值小于所述第二金属结构层的阻值，所述第二金属结构层的硬度大于所述第一金属结构层的硬度。
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