深圳万橙物联科技有限公司谢永海获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳万橙物联科技有限公司申请的专利一种超低RDS开关控制电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223809574U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423267210.5，技术领域涉及：H02H9/02；该实用新型一种超低RDS开关控制电路是由谢永海;谢胜生设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低RDS开关控制电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种超低RDS开关控制电路，该超低RDS开关控制电路包括开关控制芯片，所述开关控制芯片包括电压输入脚IN、开关控制脚EN、电压输出脚OUT、限流脚ISET及芯片地GND，所述电压输入脚IN通过输入电容C1接地，所述电压输出脚OUT通过输出电容C2接地，所述芯片地GND接地，所述限流脚ISET通过电阻R接地，其具有可编程电流限制功能，用户可以根据实际应用场景设定合适的电流限制值，从而有效保护电源免受过电流和短路的损害。
本实用新型一种超低RDS开关控制电路在权利要求书中公布了：1.一种超低RDS开关控制电路，其特征在于，包括开关控制芯片，所述开关控制芯片包括电压输入脚IN、开关控制脚EN、电压输出脚OUT、限流脚ISET及芯片地GND，所述电压输入脚IN通过输入电容C1接地，所述电压输出脚OUT通过输出电容C2接地，所述芯片地GND接地，所述限流脚ISET通过电阻Rset接地，其中，所述开关控制芯片内集成有导通MOSFET、和栅极驱动器，所述导通MOSFET的栅极与所述栅极驱动器连接，所述栅极驱动器和所述开关控制脚EN连接，所述导通MOSFET的漏极和所述电压输入脚IN连接，所述导通MOSFET的源极和所述电压输出脚OUT连接，所述导通MOSFET的漏极和源极之间依次设有两个寄生体二极管。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳万橙物联科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路8号创维创新谷B1203；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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