渴创技术(深圳)有限公司蒲鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉渴创技术(深圳)有限公司申请的专利一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223809053U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520233336.6，技术领域涉及：H01H13/705；该实用新型一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构是由蒲鑫;许仁松设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构，涉及健身器械领域，解决了传统缓冲材料老化、磨损及性能不稳定的问题，包括键盘外壳、PCB板和磁铁组件，所述键盘外壳内底部上方设置有PCB板，磁铁组件包括若干组磁铁，每组磁铁数量为两个，两个磁铁位于竖直方向平行设置，两个磁铁分别固定安装在键盘外壳内底部和PCB板上，两个磁铁相邻侧面磁极为同极；PCB板两侧底部均通过定位结构与键盘外壳内底部连接，性能稳定，磁铁不存在物理接触，避免了传统机械磨损问题；寿命更长：高性能钕磁铁具备优异的抗退磁能力，缓冲性能长时间稳定；结构简化：通过设计固定的磁铁固定套，避免复杂调节机构，降低制造和维护成本。
本实用新型一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构在权利要求书中公布了：1.一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构，包括键盘外壳1、PCB板2和磁铁组件3，其特征在于，所述键盘外壳1内底部上方设置有PCB板2，磁铁组件3包括若干组磁铁301，每组磁铁301数量为两个，两个磁铁301位于竖直方向平行设置，两个磁铁301分别固定安装在键盘外壳1内底部和PCB板2上，两个磁铁301相邻侧面磁极为同极；PCB板2两侧底部均通过定位结构4与键盘外壳1内底部连接。
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