池州鸿芯志半导体有限公司林鸿滢获国家专利权
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龙图腾网获悉池州鸿芯志半导体有限公司申请的专利一种芯片封装散热层防剥离结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223798688U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202323039150.7,技术领域涉及:H10W40/22;该实用新型一种芯片封装散热层防剥离结构是由林鸿滢设计研发完成,并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装散热层防剥离结构在说明书摘要公布了:本实用新型揭示了一种芯片封装散热层防剥离结构,包括晶圆、半槽以及散热层;所述晶圆上设置有多个芯片单元;所述半槽设置在所述晶圆上,且所述半槽用于切割分离所述晶圆上的相邻的所述芯片单元;所述散热层设置在所述晶圆表面,且所述散热层在所述半槽隔离下处于非平面。本实用新型通过在晶圆表面设置半槽,能够将晶圆表面整个平面的散热层进行分割,在进行单个芯片单元的切割时,不会造成散热层的剥离,从而大大提高了半导体封装的良品率。
本实用新型一种芯片封装散热层防剥离结构在权利要求书中公布了:1.一种芯片封装散热层防剥离结构,其特征在于,包括晶圆、半槽以及散热层; 所述晶圆上设置有多个芯片单元; 所述半槽设置在所述晶圆上,且所述半槽用于切割分离所述晶圆上的相邻的所述芯片单元; 所述散热层设置在所述晶圆表面,且所述散热层在所述半槽隔离下处于非平面。
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