台湾积体电路制造股份有限公司吴以雯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223798687U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423084084.X，技术领域涉及：H10W20/43；该实用新型半导体结构是由吴以雯;李振铭;杨复凯;王美匀设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构。半导体结构包括第一电路区域，具有：沿第一方向纵向延伸的有源区，有源区包括多个源极漏极SD特征部件之间的通道区、位于通道区上方的栅极、位于有源区上方并围绕有源区的介电结构、穿过介电结构的上表面以定点降落于其中一源极漏极SD特征部件上方的金属接点，以及定点降落于金属接点上的第一导通孔。半导体结构包括第二电路区域，具有：介电结构、穿过介电结构的上表面及介电结构的下表面的馈通导通孔以及定点降落于馈通导通孔上的第二导通孔。第一导通孔及第二导通孔具有实质上共面的下表面。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一第一电路区域，具有： 一有源区，沿一第一方向纵向延伸，该有源区包括一通道区位于多个源极漏极特征部件之间以及一栅极位于该通道区上方； 一介电结构，位于该有源区上方并围绕该有源区； 一金属接点，穿过该介电结构的一上表面，以定点降落于多个所述源极漏极特征部件的其中一个上方；以及 一第一导通孔，定点降落于该金属接点上； 一第二电路区域，具有： 该介电结构； 一馈通导通孔，穿透该介电结构的该上表面及该介电结构的一下表面；以及 一第二导通孔，位于该馈通导通孔上，其中该第一导通孔及该第二导通孔具有共面的下表面。
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